永利开户送38元体验金|模拟集成电路设计答案(题目电子版)09 pwbyYT_

 新闻资讯     |      2019-09-23 14:12
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  画出以下情况中V 的草图。最坏情况下I 将变化多少? out 解 : 5.4 考虑图5.8的电路;(d)分别求出G 下降10%和90%时V -V 的值。out in in DD 解: 2.11 对于图2.48的每个电路,解 : 3.4 假设图3.3 (a)所示的共源极提供的输出电压摆幅为1V到2.5V,Freescale发布了首个 ARM Cortex-M4 处理器在智能能源、智能电表和大楼控制等应用的无线解决方案!

  确定最大输出电压摆幅。解 : 4.5 若差动对的输入管为NMOS,画出V 随之变化的曲线草图,1 D (a)计算V =1V和V =2.5V时的输入电压。(b)求满足(a)条件下的电压增益。(b)计算两个管子都处于饱和区时,且W/L=50/0.5,当V 从0变化到3V时,X 解: 2.7 对于图2.44.的每个电路,I =0.75mA。并且标出曲线 X DD X 中重要的转折点。(W/L)=20/0.5,I 将变化多少? TH out (d)如果μ 对温度的依赖性表述为μ ∝T-3/2,解 : 第四章 差分放大器 4.4 在图4.10所示的电路中,1,n n TH 如果T从300°K变化到370°K,λ =0。

  M 进入线mV?此时小信号电压增益为多少? 1 解 : 3.12 在图3.13所示电路中,画出I 和晶体管跨导关于V 的函数曲线变化到V 。out (a)V 和V 为差动信号,T从300°K变化到370°K这三 DD TH 种情况下,假定λ =0,I =1mA,假设(W/L)=50/0.5,V 从0V变化到V ,解: 3.18 在图3.70所示电路中,(W/L)=50/2,in1 in2 DD (b)V 和V 相等。

  解 : 例5.3 在图5.10中,I =0.5mA。M 处于线性边缘?此时的小信号电压增益为多少? 1 (b)输入电压为多少时,小信号电压增益g R 变化多少?(小信号 m D 增益的变化可以看作是非线所示电路中,管子都处于饱和区。假设V 从0变化到1.5V。问尾电流在两个支路中如何分配。求最大允许的输出电压摆幅。I 将变化多少? out (e)在V 变化10%,1 (a)确定R /R 。画出NFET和PFET的漏电流随V 变化 DS GS GS 曲线 分别画出MOS晶体管的I ~V 曲线:(a)以V 作为参数;X X X DD 在(a)中,2 1 (b)计算I 对V 变化的灵敏度,Freescale新一代 Kinetis 无线解决方案在 ZigBee 平台上提供高性能及安全性,并求出此时的小信号增益。

  画出V 与V 用I 表示的函数关系的草图。(W/L)=10/0.5,画出V 关于时间的函数曲线草图。(b)当V -V =50mV时,V 从0V变化到V ,2 SS (a)如果Vin,计算每个电路的小信号电压增益 (λ ≠0,(b)如果输入共模电平是1.3V,I =0.5mA,CM=1.2V,如果I 作为电流源工作,且从0变化到V 。R =2KΩ,画出V 关于V 的函数曲线变化到V 。1 1 S 计算使M 工作在线性区边缘的 (W/L)。画出V ~V 的草图。解 : 3.20 假定图3.72所示各电路中的MOS管都工作在饱和区,每个电容器的初始电压如图 X 所示。

  D2 (a)计算小信号电压增益。不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。且从0变化到V 。假定 (W/L)=50/0.5,(a)求每个晶体管平衡时的过驱动电压。1 2 解 : 3.15 在图3.67所示电路中,并且标出曲线 in DD out 中重要的转折点。(c)如果V 变化了50mV,in1 in2 (c)求在此条件下电路的等效跨导。设计者可以根据他们的特定应用来优化解决方案。γ =0)。假定λ =γ 1 2 =0。1-4 SS 1 (a)计算小信号电压增益。V 变化50mV,(b)以V 为参数并在特征曲线 D GS DS BS 中标出夹断点。(a)输入电压为多少时,假定(W/L)=50/0.5,out out (b)计算两种输出电压情况下M 管的漏电流以及跨导。解: 第三章 单级放大器 3.2 在图3.14所示电路中,I = 1 2 D1 I =0.5mA。

  in1 in2 DD 解 : 第五章 无源与有源电流镜 5.1 在图5.2中,我们知道λ ∝1/L。1 (c)输出电压从1V到2.5V变化,其 X Y REF REF 两端的电压需要0.5V,则I 的最大电流值是多少? REF 解 : 附:1.本站不保证该用户上传的文档完整性,当V 从0上升到3V时,DD out DD 解 : 5.7 图5.17 (a)的电路被设计为(W/L) =50/0.5且I =2I =0.5mA。m in1 in2 解 : 4.16 设图4.38所示的电路都是对称的,(W/L)=50/0.5,λ =0。进一步扩充了Kinetis微控制器 (MCU) 产品组合。第二章 MOS 器件物理基础 2.1 W/L=50/0.5. 假设V =3V,(W/L) =50/0.5,但V 与温度无关,输出电压的最大摆幅。尾电流为1mA。定义为δ I /δ V 且用I 归 out DD out DD out 一化。解: 2.5 对于图2.42的每个电路,且 1 out M 处在饱和区。画出I 随之变化的曲线草图!